Процессы ионного синтеза нанокристаллов полупроводников А2В6 в слоях диоксида кремния для светодиодных структур, излучающих в видимом диапазоне длин волн, исследовала группа ученых РГП НА ПХВ «Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа» КазНУ им.аль-Фараби Руководитель проекта - PhD, ВНС А.К. Тогамбаева.
Продемонстрирована принципиальная возможность создания на основе диоксида кремния ионно-синтезированных нанокомпозитов А2В6, излучающих в широкой области спектра от УФ до ближней ИК области, хотя выяснение природы свечения остается нерешенной проблемой. На изготовленных тестовых структурах проведены исследования проводимости, вольт-амперных характеристик, фоточувствительности при облучении красным, зеленым и синим светом. Вид полученных вольт-амперных характеристик свидетельствует о диодном поведении тестовых структур. Обнаружен эффект фотоотклика при освещении красным светом.

Источник: Отдел по связям с общественностью АО «НЦНТИ»