Исследование возможности создания СВЧ-приборов на основе свободных монокристаллических плёнок арсенида галлия-алюминия
Руководитель проекта: Т.И.Таурбаев
Исполнители проекта: В.С.Антощенко
Организация: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазНУ
Инвентарный номер: 0204РК00764
Регистрационный номер: 0104РК00238
Ключевые слова: Эпитаксия, Пленочные материалы, Арсенид галлия, Монокристаллический арсенид галлия,
Методом жидкофазного эпитаксиального выращивания получены свободные монокристаллические плёнки AlGaAs и тонкоплёночные гетероструктуры GaAs/AlGaAs. Определены технологические режимы роста плёнок и влияние условий кристаллизации на состав и варизонность. Область применения: СВЧ-, микро- и оптоэлектроника.