Проведение спектроскопических исследований механизмов образования точечных дефектов и их микроструктуры в ионно-диэлектрических системах при изменении симметрии решетки
Full Name of the work head: К.Ш.Шункеев
Исполнители проекта: К.Ш.Шункеев
: Актоб. гос. пед. ин-т
Inventory number: 0204РК00720
Registration number: 0103РК00422
Keywords: Ионные кристаллы, Экситоны, Щелочно-галоидные кристаллы, Дефекты кристаллических структур, Автолокализованные экситоны, Люминесценция, Гранецентрированные кристаллы, Диэлектрики,
Объект исследования: процесс излучательной релаксации автолокализованных экситонов (АЛЭ) в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК) при понижении симметрии решётки низкотемпературной одноосной деформацией. Выявлено перераспределение интенсивности люминесценции в пользу симметричной конфигурации АЛЭ в гранецентрированных ЩГК, в объёмноцентрированных - в пользу асимметричной. Оценена энергия активации тушения люминесценции АЛЭ в ЩГК. Обнаружен эффект усиления собственной люминесценции в ЩГК при низкотемпературной упругой деформации. Разработан и изготовлен криостат для измерения люминесцентно-абсорбционных характеристик кристаллов при низкотемпературной одноосной деформации.
