Объект исследования: процесс излучательной релаксации автолокализованных экситонов (АЛЭ) в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК) при понижении симметрии решётки низкотемпературной одноосной деформацией. Выявлено перераспределение интенсивности люминесценции в пользу симметричной конфигурации АЛЭ в гранецентрированных ЩГК, в объёмноцентрированных - в пользу асимметричной. Оценена энергия активации тушения люминесценции АЛЭ в ЩГК. Обнаружен эффект усиления собственной люминесценции в ЩГК при низкотемпературной упругой деформации. Разработан и изготовлен криостат для измерения люминесцентно-абсорбционных характеристик кристаллов при низкотемпературной одноосной деформации.