Теоретическое исследование излучательной рекомбинации в гетеропереходах на основе оксидных полупроводников
Руководитель проекта: С.Е.Кумеков
Исполнители проекта: С.Е.Кумеков
Организация: Каз. нац. техн. ун-т им. К. И. Сатпаева
Инвентарный номер: 0204РК00223
Регистрационный номер: 0103РК00378
Ключевые слова: Полупроводники, Оксидные полупроводники, Излучательная рекомбинация,
Построена зонная энергетическая диаграмма p-n-гетероперехода p-SrCu[2]O[2]/n-ZnO. Исследованы вольтамперные характеристики. Сделан вывод о преимущественной инжекции дырок и существенной роли граничных состояний в формировании вольтамперных зависимостей.