Спектроскопические исследования механизмов образования точечных дефектов и их микроструктуры и ионно-диэлектрических систем при изменении симметрии решетки
Full Name of the work head: К.Ш.Шункеев
Исполнители проекта: К.Ш.Шункеев
: Актоб. гос. ун-т им. К. Жубанова
Inventory number: 0203РК00770
Registration number: 0103РК00422
Keywords: Ионные кристаллы, Экситоны, Кристаллические решетки, Щелочно-галоидные кристаллы, Дефекты кристаллических структур, Радиационные дефекты,
Изучена излучательная релаксация электронных возбуждений в нерелаксированных щелочно-галоидных кристаллах при понижении симметрии решетки низкотемпературной одноосной деформацией. Установлены: увеличение вероятности канала излучательной аннигиляции экситонов при уменьшении канала радиационного дефектообразования; сокращение свободного пробега экситонов до их автолокализации в регулярных узлах кристаллической решетки; уменьшение потенциального барьера между свободным и автолокализованным состоянием экситона; зависимость селективного воздействия упругого напряжения от ориентации автолокализованных экситонов, имеющих различную структуру.
