Изучена излучательная релаксация электронных возбуждений в нерелаксированных щелочно-галоидных кристаллах при понижении симметрии решетки низкотемпературной одноосной деформацией. Установлены: увеличение вероятности канала излучательной аннигиляции экситонов при уменьшении канала радиационного дефектообразования; сокращение свободного пробега экситонов до их автолокализации в регулярных узлах кристаллической решетки; уменьшение потенциального барьера между свободным и автолокализованным состоянием экситона; зависимость селективного воздействия упругого напряжения от ориентации автолокализованных экситонов, имеющих различную структуру.