Теоретическое и экспериментальное исследование образования и управления свойствами мезаскопических и оптоэлектронных структур
Full Name of the work head: Т.И.Таурбаев
Исполнители проекта: Т.И.Таурбаев
: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазНУ
Inventory number: 0203РК00723
Registration number: 0100РК00264
Keywords: Дефекты кристаллических структур, Монокристаллические пленки, Полупроводники, Оптоэлектронные структуры, Мезаскопические структуры, Тонкопленочные материалы,
Классифицированы дефекты свободных монокристаллических пленок Ga(Al)As, в зависимости от стадии процесса их выращивания (наследуемые из подложки, инициируемые после отделения пленки от затравочной подложки). Изучены условия и механизм образования дефектов: сквозных отверстий, нарушений планарности, кратерообразных, дефектов упаковки. Дефекты свободных монокристаллических пленок могут быть устранены путем оптимизации технологии выращивания. Получены свободные монокристаллические пленки Ga(Al)As площадью 4 см. Область применения: технология полупроводниковых материалов и приборов на их основе.
