Исследовано влияние быстрого термического отжига и свойств пористого кремния на характеристики солнечных элементов. Рассмотрены методы получения пористого кремния в различных технологических условиях. Получены спектры фотолюминесценции образцов. Приведены структурные параметры фотопреобразователей, изготовленных методами термодиффузии и быстрого термического отжига с диффузантом (SiO[2], легированный фосфором), нанесенным методом магнетронного распыления. Показана возможность увеличения плотности тока короткого замыкания за счет оптимизации легирования п-области и ее пассивации. Оценено влияние легирования на размеры нанокристаллитов. Сделан вывод, что увеличение интенсивности фотолюминесценции связано с ростом числа нанокристаллитов.