Исследованы спектры фотолюминесценции образцов пористого и аморфного кремния. Показано, что с уменьшением удельного сопротивления кремниевых пластин интенсивность фотолюминесценции увеличивается. Оценено влияние уровня легирования на размеры нанокристаллитов. Увеличение интенсивности люминесценции объяснено ростом числа нанокристаллитов, рост удельного сопротивления пористого кремния - вытравливанием примесей. При отжиге в структуре аморфного кремния выявлены две субрешетки - сильно связанная основная, составляющая ближний порядок, и слабо связанная подрешетка дефектов. На величину оптической ширины запрещенной зоны могут оказывать влияние изменения в обеих подрешетках. Легирование аморфного кремния европием ведет к усилению люминесценции в диапазоне 1460-1610 нм, что объяснено образованием ErO[6]-комплексов.