Исследованы: технологические режимы роста тонких оксидных пленок; электронное состояние в субмикронных пленках оксида кремния на поверхности пористого кремния; влияние внешних полей на процессы фазовых превращений в углеродных структурах; поведение водорода на границе раздела оксид кремния - пористый кремний. Показано, что медь, насыщенная водородом, является наиболее приемлемым материалом буферного слоя для эпитаксиального роста алмазоподобных пленок.