Объект исследования: слои пористого крения толщиной до 200 мкм, полученные анодным травлением пластин кремния в спиртовом растворе плавиковой кислоты. Изучены электрические свойства, газочувствительность пористого кремния, распределение заряда в объеме и на поверхности пор, электронное состояние субмикронных пленок оксида кремния на поверхности пористого кремния. Установлено, что облучение образцов электронами при 80 К приводит к появлению дефектов, близких по структуре оборванной связи кремния. Дефекты расположены на границе раздела SiO[2]/Si.