Спектроскопические исследования механизмов образования точечных дефектов и их микроструктуры в ионно-диэлектрических системах при изменении симметрии решетки
Full Name of the work head: К.Ш.Шункеев
Исполнители проекта: Е.Т.Сармуханов
: Актоб. гос. ун-т им. К. Жубанова
Inventory number: 0202РК01013
Registration number: 0100РК00477
Keywords: Ионные кристаллы, Экситоны, Кристаллические решетки, Щелочно-галоидные кристаллы, Дефекты кристаллических структур,
Объект исследования: процесс автолокализации экситонов, их излучательная и безызлучательная релаксация при одноосном и всестороннем сжатии щелочно-галоидных кристаллов. Рассчитаны значения автолокализационного барьера в KI, CsI, KBr, KCl и их уменьшение при одноосной деформации. Показана возможность безбарьерной автолокализации в KCl. Зарегистрировано влияние одноосной деформации на спектры поглощения одногалоидных экситонов в тонкопленочных кристаллах NaI и KI.
