Объект исследования: аморфные пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников As[x]Se[l-x] (x=0,4; 0,5; 0,6). Установлено, что аморфные пленки системы As-Se, полученные при парообразовании и конденсации атомов, отличаются микроструктурой, параметрами ближнего и среднего порядков в расположении атомов r[1], r[2], n[As], n[Se], L, структурой локального порядка и электронными процессами. Структурные состояния неупорядоченной системы различаются структурой локального порядка и протяженностью областей среднего порядка. Средний порядок атомной структуры в значительной степени определяет фотоструктурные превращения и оптические свойства. При неравновесных условиях формирования твердой фазы получаются системы с большей степенью разупорядоченности структуры. Показана возможность управления электронными свойствами полупроводников с неупорядоченной структурой путем их структурной модификации.