В ИК-спектрах облученной электронами иттриевой керамики обнаружены дополнительные полосы поглощения. Увеличение дозы облучения приводит к разрушению поверхностного слоя гранул, проникновению вглубь зерна ионов H{+} и OH{-} и их взаимодействию со сверхпроводящей матрицей. Рассчитаны концентрации радиационных дефектов, выявлена их зависимость от первоначальной энергии, атомного веса налетающей частицы, аппроксимационных параметров.