Объект исследования: полупроводниковые материалы AB, структуры на их основе, кремниевые фотопреобразователи. Изучено влияние физических свойств бинарных полупроводников на рост монокристаллических пленок, быстрого термического отжига - на формирование n{+}-p-перехода в структуре кремниевых фотопреобразователей. Выявлены термодинамические и кинетические особенности кристаллизации автономных полупроводниковых пленок соединений AB в системах с инертными растворителями (Sn или Bi). Показана потенциальная возможность изготовления фотопреобразователей с плотностью тока короткого замыкания 31-32 мА/см и КПД до 14,5-15 %.