Разработка научных основ технологии получения тонкопленочных структур, приборов различного функционального назначения и высокочистых веществ
Full Name of the work head: Мукашев Б.Н.
Исполнители проекта: Х.А.Абдуллин
: Физ.-техн. ин-т
Inventory number: 0202РК00729
Registration number: 0100РК00213
Keywords: Полупроводники, Высокочистые вещества, Особо чистые вещества, Тонкие пленки, Пленочные структуры, Кремний, Силан,
Объект исследования: полупроводниковые, керамические и металлические материалы различных структуры и стехиометрического состава, полученные методами ионной имплантации, ионно-стимулированного и магнетронного напыления, металлотермического восстановления из окислов. Изучены электронная и атомная структура дефектно-примесных комплексов, механизм образования нанокластеров и нанокристаллитов, фазовые превращения и их влияние на свойства материалов. Разработаны технологии получения высокочистого силана и кремния из техногенных отходов, создания тонкопленочных газовых и фотодетекторов, просветляющих покрытий и защитных слоев.
