Установлено влияние первичного распределения радиационных дефектов на радиационно-стимулированные процессы в мелкодисперсных металлических средах. При высоких скоростях генерации точечных радиационных дефектов атермическая рекомбинация влияет на эволюцию дефектной структуры частиц металла при облучении электронами и гамма-квантами. Наибольшая эффективность предварительной радиационной обработки металлических порошков достигается при среднем размере частиц выше критического (30 А). Показано, что время релаксации электронной системы стеклотекстолита СТ-ЭТФ значительно превышает время молекулярной структурной перестройки после облучения.