Процессы структурообразования и эволюции в тонкопленочных полупроводниковых средах
Руководитель проекта: Сарсембинов Ш.Ш.
Исполнители проекта: О.Ю.Приходько
Организация: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазНУ
Инвентарный номер: 0201РК00805
Регистрационный номер: 0100РК00326
Ключевые слова: Полупроводники, Пленочные полупроводники, Структура твердых тел, Аморфные вещества, Магнетронное распыление, Подложки, Пленки углерода,
Исследовано влияние технологических параметров процесса магнетронного распыления при получении пленок аморфного гидрогенизированного углерода. Установлено, что температура подложки является определяющим фактором структурной самоорганизации при росте пленок. Изменяя температуру подложки, можно получать аморфные пленки углерода с разной структурной модификацией - от алмазо- до графитоподобных.