Исследование влияния ближнего и среднего порядков на электронные процессы и фотоструктурные превращения в полупроводниках с неупорядоченной структурой
Full Name of the work head: Сарсембинов Ш.Ш.
Исполнители проекта: О.Ю.Приходько
: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазНУ
Inventory number: 0201РК00804
Registration number: 0100РК00217
Keywords: Полупроводники, Халькогениды, Пленочные полупроводники, Аморфные пленки, Фотоструктурные превращения, Электронные процессы,
Исследованы аморфные пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников составов As[x]Se[1-x] (x=0,4, 0,5, 0,6) с разной структурой ближнего и среднего порядка в расположении атомов. Установлено, что средний порядок атомной структуры обусловливает электронные свойства и фотоструктурные превращения в пленках.
