Исследованы аморфные пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников составов As[x]Se[1-x] (x=0,4, 0,5, 0,6) с разной структурой ближнего и среднего порядка в расположении атомов. Установлено, что средний порядок атомной структуры обусловливает электронные свойства и фотоструктурные превращения в пленках.