Исследование и разработка тонких пленок различного функционального назначения для применения в фотовольтаике, оптоэлектронике и детекторах
Full Name of the work head: Токмолдин С.Ж.
Исполнители проекта: С.Ж.Токмолдин
: Физ.-техн. ин-т
Inventory number: 0201РК00810
Registration number: 0101РК00636
Keywords: Пленочные полупроводники, Полупроводники, Магнетронное распыление, Углеродные структуры, Фазовые превращения, Тонкие пленки [электрон.],
Исследованы технологические режимы роста, электронные состояния в тонких пленках оксидов олова, цинка, кремния, осажденных магнетронным распылением на подложки из различных материалов, пористом кремнии и алмазоподобных пленках. Установлено влияние величины и симметрии внешних полей на процессы фазовых превращений в углеродных структурах. Изучено поведение водорода на границе раздела оксид кремния - пористый кремний. Показано, что медь, насыщенная водородом, является наиболее приемлемым материалом буферного слоя для эпитаксиального роста алмазных пленок.
