Исследованы технологические режимы роста, электронные состояния в тонких пленках оксидов олова, цинка, кремния, осажденных магнетронным распылением на подложки из различных материалов, пористом кремнии и алмазоподобных пленках. Установлено влияние величины и симметрии внешних полей на процессы фазовых превращений в углеродных структурах. Изучено поведение водорода на границе раздела оксид кремния - пористый кремний. Показано, что медь, насыщенная водородом, является наиболее приемлемым материалом буферного слоя для эпитаксиального роста алмазных пленок.