Цель: разработка физической модели биполярного транзистора, отличающейся удобством для моделирования, а также для учета влияния микросхем, температуры. Проведен анализ функциональных и физических моделей биполярных транзисторов. Получены основные уравнения физической модели транзистора для произвольного уровня инжекции. Разработан алгоритм расчета вольтамперной характеристики биполярного транзистора при использовании физической модели.