К основным результатам на текущий момент можно отнести: 1. Разработаны вертикальная и планарная топологии экспериментальных образцов - структур SiO2/SiNx/SiO2 и (SiNx/SiOx)n/Si. 2. Методом PECVD и LPCVD изготовлены экспериментальные образцы - структур SiO2/SiNx/SiO2 и (SiNx/SiOx)n/Si с толщиной слоев 10-80 нм. 3. Изучены оптические и электрические свойства структур SiO2/SiNx/SiO2 и (SiNx/SiOx)n/Si посредством измерения и анализа спектров фотолюминесценции и соответствующих им спектров кинетики напряжений. 4. Разработана 3D топология ячеек мемристорной памяти на основе структур SiO2/SiNx/SiO2 и (SiNx/SiOx)n/Si слоев. Получены снимки ячеек мемристорной памяти на оптическом микроскопе. 5. Проанализированы вольтамперные характеристики (ВАХ) экспериментальных мемристорных структур. Согласно анализу, в обеих экспериментальных структурах после снятия напряжения захваченные электроны продолжают оставаться на транспортном энергетическом уровне и как результат исследуемые мемристорные структуры «запоминают» свое состояние. 6. Установлена природа резистивного переключения между состоянием с высоким сопротивлением (СВС) и состоянием с низким сопростивлением (СНС), т.е. установлен механизм работы мемристорной ячейки (СВС-СНС). В случае состояния с высоким сопротивлением нанокристаллы кремния разделены слоем нитрида, а в случае состоянием с низким сопростивлением Si-кластеры образуют, так называемые, проводящие нити.