Моделирование процессов гелиевого распухания приповерхностного слоя SiC керамик в зависимости от дозы облучения проводилось с применением низкоэнергетических пучков ионов Не2+ с энергией 40 кэВ. Флюенсы облучения составляли от 1015 до 5х1017 ион/см2. Облучение было осуществлено на ускорителе тяжелых ионов ДЦ-60 (г. Астана, Казахстан), расположенного на базе Института ядерной физики МЭ РК. Расчеты энергетических потерь, а также максимальной длины пробега ионов и толщины поврежденного слоя проводились с использованием программного кода SRIM Pro 2013 и модели Кинчин-Пейза. Согласно расчетным данным максимальная толщина поврежденного слоя составляет не более 300 нм. Анализ расчетных данных величины энергетических потерь в случае облучения ионами Не2+ показал, что величины энергетических потерь имеют один порядок величины, что свидетельствует о равновероятном вкладе в структурные изменения и процессы дефектообразования в поврежденном слое.