Full Name of the work head: Даулетбекова Алма Кабдиновна
Исполнители проекта:
: Некоммерческое акционерное общество "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева"
Inventory number: 0322РК00328
Registration number: 0122РК00281
Keywords: гетероструктура,нанопроволоки,оксидные полупроводники,темплэйтный синтез,трек,трековый темплэйт SiO2/Si
1. Прилучены с помощью ХО и ЭХО образцы гетероструктур (SnO2 -NW)/SiO2/Si с массивами p-n переходов Проведены СЭМ и АСМ исследования поверхности до и после ХО и ЭХО.
2. РСА исследованиями установлено, что химическое осаждение приводит к формированию структур содержащих нанопроволоки Sn-NW и SnO-NW. Электрохимическое осаждение создает нанопроволоки SnO2-NW
3. Широкая полоса фотолюминесценции с двумя максимумами наблюдалась в спектральном диапазоне 400–470 nm. Из литературных источников известно, что эта полоса фотолюминесценции связана с кислородными вакансиями различного типа.
4. Вольтамперная характеристика носит диолный характер, что свидетельствует о формировании p-n перехода
5. Установлено влияние термического отжига на степень кристалличности и соответственно на люминесцентные и электрофизические свойства.
