Исследован фазовый состав (ФС) аморфных и кристаллических пленок Ge2Sb2Te, а также трансформация их структуры при отжиге и лазерном облучении. ФС пленок изучался XPS. Установлено, что ФС аморфных и кристаллических пленок различается и зависит от концентрации Bi. Показано, что при (6,2-6,5) ат.%. Bi образуются соединение Bi только с Те и ФС аморфных и кристаллических пленок одинаков. Показано, что отжиг пленок от 100 до 300 оС приводит к фазовым переходам: из аморфного состояния в промежуточное метастабильное кристаллическое с кубической структурой (fcc), а затем в стабильное кристаллическое с гексагональной структурой (hcp). Трансформация структуры пленок Ge2Sb2Te5 при лазерном облучении (λ=633 нм) изучалась in situ методом Рамановской спектроскопии. Установлено, что в зависимости от концентрации Bi (до 13 ат.%), мощности лазерного облучения (до 1,6 мВт) и его длительности (до 10 мин) в структуре пленок может происходить фазовый переход из аморфного состояния в состояние hcp, минуя промежуточное fcc состояние. Полученные результаты являются новыми. Установленная особенность фазового перехода в пленках Ge2Sb2Te5, управляемая концентрацией Bi и мощностью облучения, является важной для реализации многоуровневой записи информации