В соответствии с календарным планом, методом быстрого термического отжига на установке As-ONE 150 при температуре 900-1000оС в течение 3 минут были получены тонкие пленки SiO2, что подтверждается наличием узкого пика на ИК-спектре при 1071 см-1. Было показано, что предварительная очистка играет важную роль в достижении высокого эффективного времени жизни неосновных носителей заряда, а максимальное значение в 550 микросекунд достигается формированием тонкого слоя SiO2 методом быстрого термического отжига (RTP) при температуре 950оС на поверхности n-типа кремния. Для сравнения химическим методом в растворах HNO3, H2SO4:H2O2 и HCl:H2O2;H2O были получены туннельные слои SiO2. Толщина полученных таким образом слоев значительно ниже полученных в результате быстрого термического отжига, однако получившееся время жизни неосновных носителей заряда не может конкурировать с RTP методом и не превышает 15 микросекунд.