Руководитель проекта: Сергеев Дәулет Мақсатұлы
Исполнители проекта:
Организация: Республиканское государственное учреждение "Военный институт сил воздушной обороны имени дважды Героя Советского Союза Т.Я.Бегельдинова" министерства Обороны Республики Казахстан
Инвентарный номер: 0322РК00560
Регистрационный номер: 0122РК00277
Ключевые слова: барьер Шоттки,компьютерное моделирование,разрушение полупроводника,электромагнитный импульс,электронно-дырочный переход
Разработаны компьютерные модели электронно-дырочного перехода на основе распространенных полупроводников, которые будут использованы в дальнейшем для изучения влияния электромагнитного импульса. Определены основные электротранспортные характеристики разработанных электронно-дырочных переходов.