В ходе выполнения проекта были отработаны методы получения тонких фотокаталитических пленок оксидных полупроводников для разложения воды под действием света. В первом квартале была выявлена зависимость параметров электрохимического осаждения на рост гемиоксида меди (Cu2O), и влияние параметров синтеза (pH, температура электролита, потенциал и пр.) на кристалличность, морфологию поверхности и фотокаталитическую активность. Были синтезированы порошки гемиоксида меди различной формы, размера методом мокрой химии. Отработана методика переноса порошков на проводящую подложку для измерения PEC. Во втором квартале были отработаны методы получения тонких пленок CuBi2O4, выявлены критические параметры синтеза влияющие на фазовый состав, фотокаталитическую активность, однородность полученных пленок. Были синтезированы гетероструктурные фотокаталитические системы на основе гемиоксида меди (Cu2O), такие как Сu2O/CuO, Cu2O/ZnO, Cu2O/CdS. Для осаждения вторичного компонента использовались различные подходы, такие как гидротермальный метод осаждения, спинкоутинг, электрохимическое осаждение и дропкастинг.