Объект исследования: аморфные пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников составов AsSe и As3Se2. Изучена взаимосвязь структуры и электронных свойств аморфных полупроводниковых пленок при переходе от замороженного детерминированного хаоса к упорядоченному состоянию. Установлено, что исходная структура пленок As-Se, полученных при переходе газ(пар) - твердая фаза, и их электронные параметры изменяются при термообработке. Характер эволюции оптических параметров и параметра среднего порядка атомной структуры пленок зависит от исходной структуры. Область применения: микроэлектроника.