Исследовано влияние морфологии и связанности наночастиц, температуры спекания на структуру керамических образцов. Изготовлены экспериментальные образцы керамики со следующими составами: 1) 94%SiC+2,5%SiO+1,5%MnO(nano)+1,5%Al2O3(nano); 2) 95%SiC+2,5%MgO+0,5%Ce2O4+1,0%TiO2(nano)+1,0%Al2O3(nano); 3) 92%SiC+5,0%TiO2+0,5% Nd2O3+1,0% TiO2(nano)+ 1,0%MnO(nano)+0,5% Al2O3(nano). На электронно-микроскопических изображениях у состава № 1,2 наблюдается сложная дефектная субструктура, по дифракционному контрасту напоминающая дислокационную. При анализе сколов, образовавшихся при разрушении зерен под некоторым углом к плоскостям спайности слоев на электронно-микроскопических изображениях видна полосчатая структура, средняя ширина которых - 90–130 нм. В некоторых случаях внутри полос наблюдается дефектная субструктура в виде отдельно расположенных линий. По характеру дифракционного контраста данные дефекты отнесены также к дислокациям. В среднем, в обоих составах плотность дислокаций составила - (9,5-10)·1010см-2. Подобный факт свидетельствует о более высокой концентрации микродефектов в зернах полученной керамики с составах №1,2. С учетом полученных данных структурных составляющих скорректирована технология спекания SiC. Подготовленные составы шихт №1,2 способом заготовки обжигали при температуре 1650°С на воздухе с выдержкой 3,5 часа, скорость нагревания составляла 5°С/мни, охлаждения− 7°С/мин.