● поле точечного заряда представляет собой симметричное неоднородное поле, относительно координатных осей, описывающее траекторию и скорость движения частицы в нем. Отсюда следует, что на формирования амплитудного энергетического спектра в Si(Li) детекторах будут влиять потери носителей зарядов не только за счет рекомбинации или захвата на ловушках, но и из-за удлинения траектории их движения. ● выбор температурно-временного режима импульсного электрического поля для проведения двухстороннего дрейфа зависит от удельного сопротивления исходного материала. Было выявлено, что для низкоомного монокристалла креминя проведение процесса дрейфа методом воздействия импульсного электрического поля наиболее эффективен. Был выбран оптимальный режим дрейфа при температуре Т = 65-70 °С с обратным напряжением смещения Uобр = 150-300 В. ● двухсторонняя компенсация монокристаллического кремния осуществляется методом синхронного (двухстороннего) ступенчатого подъема температуры потенциалов обратного смещения. Было определено что оптимальным режимом компенсации монокристаллического кремния ионами лития, для получения Si (Li) p-i-n структур больших размеров, является температурный диапазон от 55 0С до 1000С при разности потенциалов обратного смещения от 70 В до 150 В.