В образцах до ионного облучения наблюдалась широкая полоса фотолюминесценции 400–600нм, связанная с электронными переходами между «хвостами» зоны проводимости и валентной зоны нитрида кремния. Облучение и последующий отжиг при температуре 900°С увеличивали интенсивность фотолюминесценции выше исходного уровня. При исследовании методом ЭПР выявлена анизотропия ПМЦ, то есть присутствие нескольких видов центров. С ростом температуры отжига уменьшается интенсивность полосы КРС с максимумом при 480 см-1, связанной с присутствием фазы аморфного кремния и появляется низкочастотное плечо у полосы при 520 см-1, связанной с сигналом от кремниевой подложки. 2) Обоснование научной новизны проекта: Определена глубина ловушек заряда, образованных в результате ионного облучения с последующей термической обработкой. Это позволило оценить объем памяти на основе Si3N4. КРС спектроскопия позволяет выявить нанокластеры кремния. Чем меньше размер кластера, тем более эффективная фотолюминесценция. Однако при этом идентификация таких структур затруднительна. В данном проекте проведена работа по повышению чувствительности метода КРС. Применение методики накопления сигнала вдоль спектра ЭПР позволило на порядок повысить чувствительность метода, по сравнению со способом усреднения по времени. При этом время проведения экспериментов уменьшилось.