Объект исследования: аморфные пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников составов AsxSe1-x (x=0,4; 0,5; 0,6). Изучены взаимосвязи атомной структуры (особенности ближнего и среднего порядка в расположении атомов), микроструктуры аморфных полупроводниковых пленок и условий конденсации атомов на подложку при их получении. Установлено, что аморфные пленки системы As-Se, полученные вакуум-термическим и ионно-плазменным методами, отличаются микроструктурой и параметрами ближнего и среднего порядка в расположении атомов r1, r2, nAs, nSe, L. Структурные состояния неупорядоченной системы различаются главным образом протяженностью областей среднего порядка. При более неравновесных условиях формирования твердой фазы получаются системы с большей степенью разупорядоченности структуры. Область применения: микроэлектроника.