Направленное воздействие на излучательную релаксацию электронных возбуждений с целью улучшения люминесцентных характеристик функциональных материалов на базе щелочногалоидных кристаллов
Руководитель проекта: Шункеев Куанышбек Шункеевич
Исполнители проекта:
Организация: НАО "Актюбинский региональный университет имени К. Жубанова" Министерства образования и науки РК
Инвентарный номер: 0222РК00096
Регистрационный номер: 0120РК00226
Ключевые слова: излучательная релаксация электронных возбуждений,люминесценция,одноосная упругая деформация,сцинтиллятор,щелочногалоидный кристалл,экситон,электронно-дырочная пара
– Модернизирован спектральный комплекс, позволяющий сканировать в автоматическом режиме более 8 люминесцентных характеристик кристаллов при воздействии радиации, деформации и температуры, что послужило для получения оригинальных результатов проекта;
– Для всех исследуемых кристаллов экспериментально установлен эффект усиления собственной люминесценции. Эффект интерпретируется увеличением вероятности автолокализации свободных экситонов в регулярных узлах решетки за счет сокращения длины пробега при воздействии упругой деформации;
– В кристаллах KCl-Na обнаружен уникальный эффект усиления экситоноподобной люминесценции, превосходящей интенсивности люминесценции классических сцинтилляторов CsI и CsI-Na. Эффект интерпретируется как сборка и последующая излучательная рекомбинация электронно-дырочной пары в области решетки, локально деформированной легким катионом (Na). Аналогичный эффект ожидается в хлоридах щелочных металлов, допированных легкими катионами-гомологами (Li, Na).