Получены результаты изучения процессов дефектообразования вызванными облучением протонами с энергией 1,5 МэВ и дозами 1 × 10^15, 1 × 10^16, 1 × 10^17 ион/см2. В ходе проведенных исследований получены зависимости изменения структурных, морфологических и прочностных характеристик от дозы облучения ионами гелия. Установлены критические значения доз облучения (3 – 5 × 10^17 ион/см2) для которых степень радиационных повреждений резко увеличивается. В результате проведенных исследований, определены основные механизмы формирования гелиевых пузырьков, критические дозы при которых начинается формирование второго поколения гелиевых пузырьков, приводящего к резкому снижению твердости и трещиностойкости поверхности. Представлены результаты сравнительного анализа зависимостей изменения прочностных свойств нитридных и карбидных керамик, подверженных высокотемпературному облучению тяжелыми ионами Kr15+, Xe22+ при дозах облучения 10^12-10^15 ион/см2.