Разработка технологии получения пленок пористого кремния, монокристаллического арсенида галлия, алмазоподобных пленок углерода и создание приборных структур на их основе
Full Name of the work head: Таурбаев Т.И.
Исполнители проекта: Т.И.Таурбаев
: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазГУ
Inventory number: 0200РК00379
Registration number: 0100РК00062
Keywords: полупроводниковые, пленки, свойства, получение, технология,
Разработана технология получения отделяемых пленок монокристаллического арсенида галлия, антиотражающих пленок TiO2 и Al2O3, алмазоподобных пленок углерода. Выращенные пленки GaAs отделены от затравочной подложки и могут быть использованы в качестве базовых при изготовлении дешевых и эффективных солнечных элементов. На основе пленок TiO2 и Al2O3 возможно формирование двухслойных покрытий для солнечных элементов со средним коэффициентом преломления, не превышающим 3%. Область применения: физика и технология полупроводниковых приборов.
