Исследован процесс распространения акустических волн в графене и графеновых приборных структур. Высокоразрешающим рентгенодифракционным методом показан эффект усиления амплитуды ПАВ при приложении внешнего электрического смещения на графеновую пленку, находящуюся на поверхности пьезоэлектрического кристалла Ca[3]TaGa[3]Si[2]O[14] (кальций-тантал-галло-силикат КТГС). На источнике синхротронного излучения BESSY II исследован процесс распространения ПАВ в пленке графена на поверхности пьезоэлектрических кристаллов. Исследовано влияние ПАВ на электрические свойства пленок графена. Изменение амплитуды ПАВ позволяет управлять величиной и направлением тока в графене на поверхности пьезоэлектрических кристаллов. По результатам измерения наведенного в графене акустоэлектрического тока под действием ПАВ установлен флуктуационный характер акустоэлектрического тока в области электронейтральности при малых напряжениях внешнего смещения, прикладываемого на графен.