Исследование процессов радиационного дефектообразования в диэлектрических кристаллах пониженной симметрии
Full Name of the work head: Шункеев К.Ш.
Исполнители проекта: С.К.Тулепбергенов
: Актоб. ун-т им. К.Жубанова
Inventory number: 0200РК00298
Registration number: 0197РК01057
Keywords: диэлектрики, кристаллы, радиационное, дефектообразование, исследование,
Объект исследования: щелочно-галоидные кристаллы, активированные катионами-гомологами малого размера (КCl-Na, KCl-Li). Обнаружены околонатриевые и окололитиевые экситоны. Установлено, что в поле напряжения одноосного сжатия свободный пробег экситонов до автолокализации резко сокращается из-за усиления электрон-фононного взаимодействия. В результате увеличивается вероятность автолокализации экситонов в регулярной решетке с последующей излучательной аннигиляцией.
