Новый перспективный полупроводниковый материал для тонкопленочных фотоэлементов
Full Name of the work head: Журинов М.Ж.
Исполнители проекта: Дергачева М.Б., Гременок В.Ф., Гуделева Н.Н., Уразов К.А., Яскевич В.И., Хусурова Г.М., Пузикова Д.С., Нуртазина А.Е., Жанабаева А.
: Институт топлива, катализа и электрохимии им. Д.В.Сокольского
Inventory number: 0217РК01757
Registration number: 0115РК01204
Keywords: тонкиепленки*фотоэлементы*полупроводниковые материалы
Изготовлены образцы с абсорбирующим слоем CZT(Sе,S) на различных подложках (Мо, Та, Мо/стекло) методом электрохимического осаждения. Выполнен структурный анализ полученных образцов, исследованы морфология поверхности и элементный состав. Разработан способ изготовления многослойных тонкопленочных фотоэлементов. Определены фотохарактеристики элементов. Утвержден технологический регламент на технологию электрохимического осаждения пленок CZT(Sе,S).
