Разработка методов получения тонких пленок и слоев оксидных полупроводников
Руководитель проекта: Орунханов М.К.
Исполнители проекта: Гриценко Л.В., Кумеков С.Е., Абдуллин Х.А. и др.
Организация: Казахский национальный исследовательский технический университет им. К.И.Сатпаева
Инвентарный номер: 0217РК02270
Регистрационный номер: 0115РК00882
Ключевые слова: полупроводники*тонкие пленки
Исследованы морфология, фотолюминесценция, оптические и электрические свойства образцов. Отмечено, что максимальным пропусканием (90 %) обладают плҒнки с наибольшим содержанием примеси. Определены технологические условия направленного формирования слоев с необходимой морфологией. Предварительный отжиг в вакууме позволяет значительно улучшить электрические характеристики. Отработана технология осаждения прозрачных, однородных тонких плҒнок на основе оксидных полупроводников.