Фундаментальные физические основы управления эффектом электрической памяти в наноразмерных халькогенидных полупроводниках
Full Name of the work head: Лаврищев О. А.
Исполнители проекта: Приходько О.Ю., Козюхин С.А., Цэндин К.Д., Алмасов Н.К., Дюсенбаев С.А., Толепов Ж.К.
: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби
Inventory number: 0217РК02304
Registration number: 0115РК01236
Keywords: полупроводниковые материалы*наноструктурные материалы
Отработана технология получения модифицированных аморфных пленок методом ионно-плазменного сораспыления комбинированной мишени из халькогенидного полупроводника и металла с контролируемыми структурой и составом. Создан материал на основе наноразмерных пленок GeSbTe225, модифицированных висмутом. Показана возможность управления электронными свойствами и эффектом переключения путем изменения концентрации примеси Bi и толщины наноразмерных пленок. Выявлены физические основы управления процессом записи информации в пленках халькогенидных полупроводников.
