Национальные ресурсы / Отчеты о НИР

Фундаментальные физические основы управления эффектом электрической памяти в наноразмерных халькогенидных полупроводниках

Руководитель проекта: Лаврищев О. А.
Исполнители проекта: Приходько О.Ю., Козюхин С.А., Цэндин К.Д., Алмасов Н.К., Дюсенбаев С.А., Толепов Ж.К.
Организация: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби
Инвентарный номер: 0217РК02304
Регистрационный номер: 0115РК01236
Ключевые слова: полупроводниковые материалы*наноструктурные материалы