Электронные процессы в некристаллических полупроводниках
Руководитель проекта: Сарсембинов Ш.Ш.
Исполнители проекта: О.Ю.Приходько
Организация: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазГУ
Инвентарный номер: 0200РК00084
Регистрационный номер: 0100РК00019
Ключевые слова: полупроводниковые, пленки, электронные, процессы, оптические, свойства, исследования,
Объект исследования: аморфные пленки модельного для халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) состава - As2Se3, полученные высокочастотным ионно-плазменным распылением. Изучено влияние облучения светом на оптические свойства и процессы переноса носителей ХСП-пленок. Установлены реверсивные фотоиндуцированные изменения оптических свойств и процессов переноса носителей заряда, обусловленные перестройкой атомной структуры и спектра локализованных электронных состояний пленок.