Технология управления механизмом трансформации энергии ионизирующей радиации в щелочногалоидных кристаллах-сцинтилляторах
Full Name of the work head: Ердембеков Б.А.
Исполнители проекта: Шункеев К.Ш., Мясникова Л.Н., Бармина А.А. и др.
: Актюбинский региональный государственный университет им. К.Жубанова
Inventory number: 0217РК01691
Registration number: 0115РК01111
Keywords: Щелочногалоидные кристаллы*сцинтилляторы*люминесценция*дефекты кристаллических структур*радиационные дефекты
Разработан способ повышения квантового выхода (световыхода) щелочногалоидных кристаллов-сцинтилляторов, основанный на процессах миграции и автолокализации электронных возбуждений (экситоны и электронно-дырочные пары). Изучен механизм автолокализации электронных возбуждений преимущественно излучательной аннигиляцией с минимальной потерей энергии на создание радиационных дефектов. Определена температурная граница между излучательным и безызлучательным (с рождением радиационных дефектов) каналами аннигиляции автолокализованных электронных возбуждений. Модернизирована экспериментальная люминесцентная установка. Запатентован способ определения низкотемпературных вакансионных дипольных дефектов в щелочногалоидных кристаллах методом термостимулированной деполяризации.
