Разработан способ повышения квантового выхода (световыхода) щелочногалоидных кристаллов-сцинтилляторов, основанный на процессах миграции и автолокализации электронных возбуждений (экситоны и электронно-дырочные пары). Изучен механизм автолокализации электронных возбуждений преимущественно излучательной аннигиляцией с минимальной потерей энергии на создание радиационных дефектов. Определена температурная граница между излучательным и безызлучательным (с рождением радиационных дефектов) каналами аннигиляции автолокализованных электронных возбуждений. Модернизирована экспериментальная люминесцентная установка. Запатентован способ определения низкотемпературных вакансионных дипольных дефектов в щелочногалоидных кристаллах методом термостимулированной деполяризации.