В эпитаксиальных пленках SiС на поверхности с-Si ориентация (111), выращенных методом замещения атомов, обнаружена редкая гексагональная фаза 2Н-SiС, устойчивая в многослойной структуре. Осуществлен синтез пленок SiС[x] на поверхности с-Si при распылении мишеней кремния и графита в высокочастотном режиме. Быстрый отжиг в вакууме приводит к улучшению структуры пленки, формированию нанокристаллов. Предположено присутствие включений алмаза.