Разработка процессов формирования, управления размерами и формой металлических и полупроводниковых нанопреципитатов в слоях SiO[2] и SiN[x] на Si при облучении быстрыми тяжелыми ионами для систем опто- и наноэлектроники
Full Name of the work head: Сыдыков Е.Б.
Исполнители проекта: Даулетбекова А.К., Жумадилов К.Ш., Акилбеков А.Т. и др.
: Евразийский национальный университет им. Л.Н.Гумилева
Inventory number: 0217РК01309
Registration number: 0115РК01384
Keywords: облучение материалов*полупроводниковые материалы*наноструктурные материалы
Cформированы структуры \"нанокристаллы в SiO[2]\". Подтверждно формирование массивов нанокристаллов на основе цинка и олова в матрице диоксида кремния. Размеры преципитатов варьируют от 5 до 20 нм в зависимости от режима имплантации и отжига. Для получения слоев нанопористого диоксида кремния структуры SiO[2]/Si облучены ионами Xе и обработаны в разбавленном растворе фтористоводородной кислоты.
